東莞市鼎偉靶材有限公司是專業(yè)生產(chǎn)高純金屬材料，蒸發(fā)鍍膜材料以及濺射靶材的高新技術(shù)企業(yè)應(yīng)用開發(fā)的科技型民營股份制工貿(mào)有限公司。公司以青島大學(xué)和青島科技大學(xué)蒸發(fā)材料專業(yè)為技術(shù)依托，擁有多名中高級專業(yè)技術(shù)人員和專業(yè)化應(yīng)用實(shí)驗(yàn)室，具有很強(qiáng)的蒸發(fā)材料開發(fā)能力。公司先后研發(fā)的蒸發(fā)材料、濺射靶材系列產(chǎn)品廣泛應(yīng)用到國內(nèi)外眾多知名電子、太陽能企業(yè)當(dāng)中，以較高的性價比，成功發(fā)替代了國外進(jìn)口產(chǎn)品，頗受用戶**。

鍍膜鉑金靶材白銀顆粒

東莞市鼎偉靶材有限公司

聯(lián)系人：肖先生

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公司主要經(jīng)營產(chǎn)品： 

一、真空鍍膜材料 

1．高純真空濺射靶材（99.9％——99.999％） 

高純金屬靶材：鋯靶Zr、鉻靶Cr、鈦靶Ti、鋁靶Al、錫靶Sn、釩靶V、銻靶Sb、銦靶、硼靶B、鎢靶W、錳靶Mn、鉍靶Bi、銅靶Cu、石墨靶C、硅靶 Si、鉭靶 Ta、鋅靶Zn、鎂靶Mg、鈮靶Nb、鉬靶Mo、鈷靶Co、鐵靶Fe、鍺靶Ge、鉿靶Hf、鉛靶Pb、鎳靶Ni、銀靶Ag、硒靶Se、鈹靶Be、碲靶Te、不銹鋼靶材S.S等……

 

多元合金靶材： 鈦鋁靶Ti-Al、鈦鋯靶Ti-Zr、鈦硅靶Ti-Si、鈦鎳靶Ti-Ni、鎳鉻靶Ni-Gr、鎳鋁靶Ni-Al、鎳釩靶Ni-V、鎳鐵靶Ni-Fe、鐵鈷靶Fe-Co、鋁硅靶Al-Si、鈦硅靶Ti-Si、鉻硅靶Cr-Si、鋅鋁靶Zn-Al、鈦鋅靶材Ti-Zn、鋁硅銅靶Al-Si-Cu等…… 

 

陶瓷濺射靶材：ITO靶、單晶硅靶、多晶硅靶、一氧化硅靶SiO、二氧化硅靶SiO2、二氧化鈦靶TiO2、氧化鋯靶ZrO2、二硼化鈦靶TiB2、氧化鎂靶MgO、碳化硼靶BC、氮化硼靶BN、碳化硅靶SiC、三氧化二釔靶Y2O3、五氧化二釩靶V2O5、氧化鋅靶ZnO、硫化鋅靶ZnS、硫化鉬靶MoS、硫化鎢靶WS、氧化鋅鋁靶ZAO、氧化鋁靶Al2O3、鈦酸鍶靶SrTiO3、五氧化二鉭靶Ta2O5、五氧化二鈮靶Nb2O5、氧化鋅鎵靶ZGO、氧化鋅硼靶ZBO、砷化鎵靶GaAs，磷化鎵靶GaP，硒化鋅靶、錳酸鋰靶、鎳鈷酸鋰靶、鉭酸鋰靶，鈮酸鋰靶、等… 

 

稀土金屬靶：鑭靶、鈰靶、鐠靶、釹靶、釤靶、銪靶、釓靶、鋱靶、鏑靶、鈥靶、鉺靶、銩靶、鐿靶、镥靶、釔靶等… 

 

稀土氧化物靶：氧化鑭靶、氧化鈰靶、氧化鐠靶、氧化釤靶、氧化銪靶、氧化釹靶、氧化釓靶、氧化鋱靶、氧化鏑靶、氧化鈥靶、氧化鉺靶、氧化銩靶、氧化鐿靶、氧化镥靶 

金屬膜電阻器用Ni-Cr-Si/ Ni-Cr-Mn-Cu濺射靶材： 

金屬膜電阻器用靶材包括高阻系列（ZYG）、中阻系列（ZYZ）和低阻系列（ZYC）、超低阻系列（ZYCD）。 

 

2．高純光學(xué)鍍膜材料（99.99％——99.999％） 

氧化物：一氧化硅、二氧化硅、一氧化鈦、二氧化鈦、三氧化二鈦、五氧化三鈦、二氧化鋯、二氧化鉿、二氧化鈰、二鈦酸鐠、三氧化鎢、五氧化二鉭、五氧化二鈮、三氧化二鈧、三氧化二鋁、三氧化二銦、氧化鐿、氧化鋅、氧化鎂、氧化釓、氧化釤、氧化釹、氧化鈣、氧化鐠、氧化鉍、氧化鉻、氧化鎳、氧化銅、氧化鐵、氧化釩等… 

氟化物：氟化鎂、氟化鈣、氟化釹、氟化鑭、氟化鐿、氟化釔、氟化鉺、氟化釤、氟化鏑、氟化鈰、氟化鋇、氟化鍶、氟化鉀、氟化鈉等… 

硫化物：硫化鋅、硫化鉬、硫化鈣、硫化銻、硫化鐵、硫化鈉等…







高純鉑：鉑靶、鉑粒、鉑絲、鉑電極、鉑片、鉑粉

純度：3N 、3N5、4N、4N5、5N  T(不是聯(lián)系方式)

規(guī)格：鉑靶（平面圓靶，方靶，旋轉(zhuǎn)靶，臺階靶均可加工，規(guī)格按客戶要求定做）  鉑粒（規(guī)格Φ2*5mm,Φ2*10mm，其他規(guī)格定做）

 鉑絲（Φ0.2mm、Φ0.3mm、Φ0.5mm、Φ1mm其他規(guī)格定做）

 鉑片（根據(jù)客戶要求定做）

 鉑粉（根據(jù)客戶要求定做）

 

 





半導(dǎo)體領(lǐng)域應(yīng)用靶材是世界靶材市場的主要組 成之一。在1991年的世界靶材市場銷售額中，有約’"60%為半導(dǎo)體領(lǐng)域應(yīng)用靶材，35%用于記錄介質(zhì)領(lǐng) 域，5%為顯示領(lǐng)域用靶材及其他。近年來，半導(dǎo)體領(lǐng)域應(yīng)用靶材以近10%的年增長率增長［ 在硅片上制成各種晶體管、二極管等元器件后，根據(jù)電路設(shè)計(jì)要求，將這些元器件用金屬薄膜線條連接起來，形成具有各種功能的集成電路的工藝稱為金屬化。金屬化工藝是硅集成電路制造工藝中非常重要的環(huán)節(jié)。金屬化系統(tǒng)和金屬化工藝的優(yōu)劣 會影響電路的電性能和可靠性。

 

【原創(chuàng)內(nèi)容】
我們發(fā)現(xiàn)有需要維修的地方會書面通知客戶并提供維修報價三、包裝和運(yùn)輸所有已貼合靶材包裝在真空密封塑料袋中，并附有防潮劑。外包裝一般為木箱，四周有防撞層，以保護(hù)靶材需要進(jìn)行高溫帖合的條件下，無氧化銅容易被氧化和發(fā)生翹曲,所以會使用金屬鉬為背靶材料或某些靶材如陶瓷甚至某些金屬靶材的熱膨脹系數(shù)無法與無氧銅匹配，同樣也需要使用金屬鉬作為背靶材料。不銹鋼管(SST)–目前較常使用不銹鋼管作為旋轉(zhuǎn)靶材的背管，因?yàn)椴讳P鋼管具有良好的強(qiáng)度和導(dǎo)熱性而且非常經(jīng)濟(jì)二、背靶重復(fù)使用大部分背靶可以重復(fù)使用，尤其是采用金屬銦進(jìn)行帖合的比較容易進(jìn)行清潔和重新使用。如果是采用其他帖合劑（包括環(huán)氧樹脂）則可能需要采用機(jī)械處理的方式對背靶表面處理后才能重復(fù)使用。當(dāng)我們收到用戶化合物覆蓋面積增加的速率得不到抑制，濺射溝道將進(jìn)一步被化合物覆蓋，當(dāng)濺射靶被化合物全部覆蓋的時候，靶完全中毒一、背靶材料無氧銅(OFC)–目前較常使用的作背靶的材料能重復(fù)使用。當(dāng)我們收到用戶提供的已使用過的背靶后，我們會首先進(jìn)行卸靶處理（如適用）并且對背靶進(jìn)行完全檢查，檢查的重點(diǎn)包括背靶的平整度，完整性及密封性等。我們會通知用。靶材進(jìn)行預(yù)濺射時建議慢慢加大濺射功率，陶瓷類靶材的功率加大速率建議為1.5W小時/平方厘米。金屬類靶材的預(yù)濺射速度可以比陶瓷靶材塊，一個合理的功率加大速率為直接影響真空度獲得和增加成膜失敗的可能性。短路或靶材起弧，成膜表面粗糙及化學(xué)雜質(zhì)含量超標(biāo)經(jīng)常是由于不潔凈的濺射室、濺射槍和靶材引起的。為保持鍍膜的成分特性，濺射