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產(chǎn)品描述

產(chǎn)地廣東 是否危險化學(xué)品 重量0.2KG 雜質(zhì)含量0.01% 稀土含量≥99.9%

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目前靶材的制備主要有鑄造法和粉末冶金法。

鑄造法:將一定成分配比的合金原料熔煉,再將合金溶液澆注于模具中,形成鑄錠,最后經(jīng)機械加工制成靶材,鑄造法在真空中熔煉、鑄造。常用的熔煉方法有真空感應(yīng)熔煉、真空電弧熔煉和真空電子轟擊熔煉等,其優(yōu)點是靶材雜質(zhì)含量(特別是氣體雜質(zhì)含量)低,密度高,可大型化;缺點是對熔點和密度相差較大的兩種或兩種以上金屬,普通熔煉法難以獲得成分均勻的合金靶材。

粉末冶金法:將一定成分配比的合金原料熔煉,澆注成鑄錠后再粉碎,將粉碎形成的粉末經(jīng)等靜壓成形,再高溫?zé)Y(jié),較終形成靶材,其優(yōu)點是靶材成分均勻;缺點是密度低,雜質(zhì)含量高等,常用的粉末冶金工藝包括冷壓、真空熱壓和熱等靜壓等。

一、根據(jù)不同材質(zhì)靶材可分為:金屬靶材,陶瓷(氧化物、氮化物等)靶材,合金靶材。 二、根據(jù)不同應(yīng)用方向可分為(了解)

1、半導(dǎo)體關(guān)聯(lián)靶材: 電極、布線薄膜:鋁靶材,銅靶材,金靶材,銀靶材,鈀靶材,鉑靶材,鋁硅合金靶材,鋁硅銅合金靶材等。 儲存器電極薄膜:鉬靶材,鎢靶材,鈦靶材等。 粘附薄膜:鎢靶材,鈦靶材等。 電容器絕緣膜薄膜:鋯鈦酸鉛靶材等。 2、磁記錄靶材: 垂直磁記錄薄膜:鈷鉻合金靶材等。 硬盤用薄膜:鈷鉻鉭合金靶材,鈷鉻鉑合金靶材,鈷鉻鉭鉑合金靶材等。 薄膜磁頭:鈷鉭鉻合金靶材,鈷鉻鋯合金靶材等。 人工晶體薄膜:鈷鉑合金靶材,鈷鈀合金靶材等。 3、光記錄靶材: 相變光盤記錄薄膜:硒化碲靶材,硒化銻靶材,鍺銻碲合金靶材,鍺碲合金靶材等。 磁光盤記錄薄膜:鏑鐵鈷合金靶材,鋱鏑鐵合金靶材,鋱鐵鈷合金靶材,氧化鋁靶材,氧化鎂靶材,氮化硅靶材等。

光盤反射薄膜:鋁靶材,鋁鈦合金靶材,鋁鉻合金靶材,金靶材,金合金靶材等。 光盤保護薄膜:氮化硅靶材,氧化硅靶材,硫化鋅靶材等。 4、顯示靶材: 透明導(dǎo)電薄膜:氧化銦錫靶材,氧化鋅鋁靶材等。 電極布線薄膜:鉬靶材,鎢靶材,鈦靶材,鉭靶材,鉻靶材,鋁靶材,鋁鈦合金靶材,鋁鉭合金靶材等。 電致發(fā)光薄膜:硫化鋅摻錳靶材,硫化鋅摻鋱靶材,硫化鈣摻銪靶材,氧化釔靶材,氧化鉭靶材,鈦酸鋇靶材等。 5、其他應(yīng)用靶材: 裝飾薄膜:鈦靶材,鋯靶材,鉻靶材,鈦鋁合金靶材,不銹鋼靶材等。 低電阻薄膜:鎳鉻合金靶材,鎳鉻硅合金靶材,鎳鉻鋁合金靶材,鎳銅合金靶材等。 超導(dǎo)薄膜:釔鋇銅氧靶材,鉍鍶鈣銅氧靶材等。 工具鍍薄膜:氮化物靶材,碳化物靶材,硼化物靶材,鉻靶材,鈦靶材,鈦鋁合金靶材,鋯靶材,石墨靶材等。

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2020/7/22 10:05:41


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